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PD54008-E
N沟道 耐压:25V 电流:5A
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- 描述
- RF功率LDMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD54008-E
- 商品编号
- C3289542
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 91pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。它在共源极模式下,可在高达1 GHz的频率和7 V电压下工作。该器件采用意法半导体(ST)最新的LDMOS技术,安装在首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中,具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 PowerSO - 10塑料封装旨在提供高可靠性,是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了专门优化,具备出色的射频性能,且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz / 7.5 V条件下,输出功率POUT = 8 W,增益为11.5 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 主板 / 显卡 / 内核电压
- 负载点应用
- 开关电源二次侧同步整流