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PD54008-E
N沟道 耐压:25V 电流:5A
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- 描述
- RF功率LDMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD54008-E
- 商品编号
- C3289542
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 91pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz / 7.5 V条件下,输出功率POUT = 8 W,增益为11.5 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 主板 / 显卡 / 内核电压
- 负载点应用
- 开关电源二次侧同步整流