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SIDR104AEP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:90.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR104AEP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289534
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的 RDS x Qg 品质因数 (FOM)
- 针对最低的 RDS x Qoss 品质因数 (FOM) 进行调整
- 100% Rg 和 UIS 测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC 转换器-电源-电机驱动控制-电池和负载开关
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