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SQJ244EP-T1_GE3
双N沟道,电流:20A,耐压:40V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ244EP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289532
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的Qg和Qoss可降低功率损耗并提高效率
- 灵活的引脚可增强对机械应力的耐受性
- 经过100% Rq和UIS测试
- Qgd/Qgs比率 < 1，优化开关特性
应用领域
- 同步整流-高功率密度DC/DC转换器-DC/AC逆变器-升压转换器-电机驱动控制
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