SQJ264EP-T1_GE3
双N沟道,电流:20A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ264EP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289533
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 漏源击穿电压45 V
- 针对低Qg和Qoss进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流-高功率密度DC/DC-电机驱动控制
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