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SIR450DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:45V 电流:113A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 45V漏源击穿电压。 针对低Qg和Qoss进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR450DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289526
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.283333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 805pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 系统电源DC/DC
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