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SIJ128LDP-T1-GE3
N沟道,电流:25.5A,耐压:80V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ128LDP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289523
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 127pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的Qg和Qoss可降低功率损耗并提高效率
- 灵活的引脚可有效抵抗机械应力
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比值<1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
- 升压转换器
- LED背光
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