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SIR124DP-T1-RE3
N沟道 MOSFET,电流:56.8A,耐压:80V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR124DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289525
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.666nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 超低RDS × Qg品质因数乘积
- 优化的Qgd/Qgs比
- 在电源中具有出色的效率表现
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- 或门和热插拔开关
- 电机驱动控制
- 电池管理
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