SIJ450DP-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:113A,耐压:45V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ450DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289524
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.92nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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