SQJ401EP-T2_GE3
汽车级P沟道12V MOSFET,电流:32A,耐压:12V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ401EP-T2_GE3
- 商品编号
- C3289515
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.32nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.76nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS x Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS x Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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