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SIR5102DP-T1-RE3
N沟道,电流:110A,耐压:100V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR5102DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289519
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 系统电源DC/DC
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