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SI7174DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:75V 电流:60A
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- 描述
- 特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：初级侧开关。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7174DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289520
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管（TrenchFET Gen IV）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 栅漏电荷（Qgd）与栅源电荷（Qgs）之比小于1，优化开关特性
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