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SIR510DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:126A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR510DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289516
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 126A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.98nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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