SIR510DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:31A 电流:126A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIR510DP-T1-RE3商品编号
C3289516商品封装
PowerPAK-SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 126A;31A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@20A,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 6.25W;104W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 81nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.98nF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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