温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ138ELP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:315A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ138ELP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289511
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 315A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.775nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.467nF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 栅漏电荷(Qgd)与栅源电荷(Qgs)之比小于1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-或运算-电源-电机驱动控制-电池和负载开关
相似推荐
其他推荐
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3
- SIR510DP-T1-RE3
- SQJ850EP-T1_GE3
- SI7434DP-T1-GE3
- SIR5102DP-T1-RE3
- SI7174DP-T1-GE3
- SQJ431EP-T2_GE3
- SIJA52ADP-T1-GE3
- SIJ128LDP-T1-GE3
- SIJ450DP-T1-GE3
- SIR124DP-T1-RE3
- SIR450DP-T1-RE3
- SI7998DP-T1-GE3
- SI7252ADP-T1-GE3
- SQJ500AEP-T1_GE3
- SQJ912DEP-T1_GE3
- SQJB02ELP-T1_GE3
- SQJ244EP-T1_GE3