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SIR606DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:37A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR606DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289514
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.3nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品特性
- ThunderFET技术优化了导通电阻RDS(on)、栅极电荷Qg、开关电荷Qsw和输出电荷Qoss之间的平衡
- 进行了100%栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 固定电信-直流-直流转换器-初级和次级侧开关-电池管理
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