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SIR104LDP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:81A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR104LDP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289512
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.87nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 338pF |
商品特性
- 第四代TrenchFET功率MOSFET
- 极低的Qg和Qoss，可降低功率损耗并提高效率
- 灵活的引脚可有效抵抗机械应力
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1，优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
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