温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ211ELP-T1_GE3
汽车级MOSFET 1个P沟道 耐压:100V 电流:33.6A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试。材料分类：有关合规性定义，请参考相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ211ELP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289496
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.193nF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 极低的导通电阻（RDS）与栅极电荷（Qg）品质因数（FOM）
- 针对最低的导通电阻（RDS）与输出电容电荷（Qoss）品质因数（FOM）进行优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
相似推荐
其他推荐
- SIR4606DP-T1-GE3
- SIR516DP-T1-RE3
- SIR182LDP-T1-RE3
- SQJ459EP-T1_GE3
- SIR680ADP-T1-RE3
- SI7190ADP-T1-RE3
- SIJA58ADP-T1-GE3
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3
- SIR510DP-T1-RE3
- SQJ850EP-T1_GE3
- SI7434DP-T1-GE3