SIJA58ADP-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:109A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJA58ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289504
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 第四代TrenchFET功率MOSFET
- 极低的Qg和Qoss,可降低功率损耗并提高效率
- 灵活的引脚可有效抵抗机械应力
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- DC/AC逆变器
相似推荐
其他推荐
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3
- SIR510DP-T1-RE3
- SQJ850EP-T1_GE3
- SI7434DP-T1-GE3
- SIR5102DP-T1-RE3
- SI7174DP-T1-GE3
- SQJ431EP-T2_GE3
- SIJA52ADP-T1-GE3
- SIJ128LDP-T1-GE3
- SIJ450DP-T1-GE3
- SIR124DP-T1-RE3