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SIR696DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:125V 电流:60A
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- 描述
- 特性：ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、QSW和QSS的平衡。 100% Rg和UIS测试。应用：固定电信DC/DC转换器。 初级和次级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR696DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289508
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关-同步整流-DC/DC转换器-照明-工业领域
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