温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7190ADP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:250V 电流:14.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAk封装。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7190ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289503
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SIJA58ADP-T1-GE3
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3
- SIR510DP-T1-RE3
- SQJ850EP-T1_GE3
- SI7434DP-T1-GE3
- SIR5102DP-T1-RE3
- SI7174DP-T1-GE3
- SQJ431EP-T2_GE3
- SIJA52ADP-T1-GE3
- SIJ128LDP-T1-GE3
- SIJ450DP-T1-GE3