温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR882BDP-T1-RE3
N沟道,电流:67.5A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 非常低的RDS×Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR882BDP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289492
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.762nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在4.5 V的栅源电压VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 对栅极电阻RG进行100%测试
- 无铅
应用领域
- 用于笔记本处理器电源的同步MOSFET
- 用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET
相似推荐
其他推荐
- SQJA16EP-T1_GE3
- SQJ174EP-T1_GE3
- SI7434ADP-T1-RE3
- SQJ211ELP-T1_GE3
- SIR4606DP-T1-GE3
- SIR516DP-T1-RE3
- SIR182LDP-T1-RE3
- SQJ459EP-T1_GE3
- SIR680ADP-T1-RE3
- SI7190ADP-T1-RE3
- SIJA58ADP-T1-GE3
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3