温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJA16EP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:278A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJA16EP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289493
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 278A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SQJ174EP-T1_GE3
- SI7434ADP-T1-RE3
- SQJ211ELP-T1_GE3
- SIR4606DP-T1-GE3
- SIR516DP-T1-RE3
- SIR182LDP-T1-RE3
- SQJ459EP-T1_GE3
- SIR680ADP-T1-RE3
- SI7190ADP-T1-RE3
- SIJA58ADP-T1-GE3
- SIR122LDP-T1-RE3
- SIR580DP-T1-RE3
- SQJ144EP-T1_GE3
- SIR696DP-T1-GE3
- SIR582DP-T1-RE3
- SQJ160EP-T1_GE3
- SQJ138ELP-T1_GE3
- SIR104LDP-T1-RE3
- SIJ462ADP-T1-GE3
- SIR606DP-T1-GE3
- SQJ401EP-T2_GE3