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SIR626ADP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:165A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR626ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289490
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.77nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
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