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SIRA62DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA62DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289487
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 用于开关模式电源的出色RDS - Qg品质因数(FOM)
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压转换器
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 负载开关
- 或门功能
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