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SIRA20BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:335A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA20BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289480
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 335A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 领先的RDS(on)可将导通功率损耗降至最低
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-电池管理-DC/DC转换器-热插拔开关-或门FET
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