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SIRA18BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA18BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289477
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）第四代P沟道功率MOSFET
- 极低的导通电阻RDS(on)可最大程度减小电压降并降低传导损耗
- 无需电荷泵
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性负载（UIS）测试
应用领域
- 适配器和充电器开关-电池和电路保护-或门(OR-ing)-负载开关-电机驱动控制
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