温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRS700DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 领先的RDS(on)，可最大程度降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强散热能力，降低RthJC。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS700DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289474
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.95nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
相似推荐
其他推荐
- SQJ128ELP-T1_GE3
- SIHJ690N60E-T1-GE3
- SIRA18BDP-T1-GE3
- SQJ146ELP-T1_GE3
- SIR578DP-T1-RE3
- SIRA20BDP-T1-GE3
- SIRA88BDP-T1-GE3
- SIR186LDP-T1-RE3
- SI7892BDP-T1-GE3
- SIR104ADP-T1-RE3
- SQJ488EP-T2_BE3
- SIRA62DP-T1-RE3
- SIRC04DP-T1-GE3
- SIR572DP-T1-RE3
- SIR626ADP-T1-RE3
- SQJ403EP-T1_GE3
- SIR882BDP-T1-RE3
- SQJA16EP-T1_GE3
- SQJ174EP-T1_GE3
- SI7434ADP-T1-RE3
- SQJ211ELP-T1_GE3