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SIRS700DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 领先的RDS(on)，可最大程度降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强散热能力，降低RthJC。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRS700DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289474
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)×栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 领先的导通电阻RDS(on),可最大程度降低传导损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 增强散热能力,降低结壳热阻(RthJC)
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
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