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SI7172ADP-T1-RE3
N沟道,电流:17.2A,耐压:200V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7172ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289461
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- ThunderFET技术优化了 R\textDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 固定电信
- DC/DC转换器
- 初级和次级侧开关
- 同步整流
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