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SIR574DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:48.1A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR574DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289465
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.3mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.5pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
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