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SI7633DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7633DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3289470
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.278克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.74nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.83nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流-高功率密度DC/DC-同步降压转换器-或门功能-负载开关-电池管理
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