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SIR500DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:350.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 凭借极低的RDS(on)和热增强型紧凑型封装实现更高的功率密度。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR500DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3289473
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.96nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 升压转换器
- DC/AC逆变器
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