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SQJ182EP-T1_GE3
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:210A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 Qgd / Qgs比率 < 1，优化开关特性
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ182EP-T1_GE3
- 商品编号
- C3289460
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.392nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 874pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比，可降低开关相关的功率损耗
- 占位面积比D²PAK（TO - 263）小50%
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理-电源
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