温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIJH800E-T1-GE3
N沟道,电流:288A,耐压:80V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH800E-T1-GE3
- 商品编号
- C3289446
- 商品封装
- PowerPAK(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代TrenchFET功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 占位面积比D2PAK(TO - 263)小50%
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
-同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理-电源
相似推荐
其他推荐
- SQJQ112E-T1_GE3
- SIHH11N60EF-T1-GE3
- SQJQ140E-T1_GE3
- SQJQ131EL-T1_GE3
- SQJQ112ER-T1_GE3
- SQA470CEJW-T1_GE3
- SQA470EEJ-T1_GE3
- SIA436DJ-T4-GE3
- SQA401CEJW-T1_GE3
- SQA410CEJW-T1_GE3
- SQA446CEJW-T1_GE3
- SIRA80DP-T1-RE3
- SIRA99DP-T1-GE3
- SQJ182EP-T1_GE3
- SI7172ADP-T1-RE3
- SQJ500AEP-T1_BE3
- SI7454FDP-T1-RE3
- SQJ412EP-T2_GE3
- SIR574DP-T1-RE3
- SIR4602LDP-T1-RE3
- SIR670DP-T1-GE3