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SIHH11N60EF-T1-GE3实物图
  • SIHH11N60EF-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHH11N60EF-T1-GE3

N沟道,电流:7A,耐压:600V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHH11N60EF-T1-GE3
商品编号
C3289448
商品封装
PowerPAK(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4207克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))357mΩ@10V
耗散功率(Pd)114W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)62nC@10V
输入电容(Ciss)1.078nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低 trr、Qrr 和 IRRM
  • 完全无铅(Pb)器件
  • 低品质因数(FOM)R\text on x Qg
  • 低输入电容 \left(Ciss\right)
  • 因 Qrr 降低而具有低开关损耗
  • 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF