SIA436DJ-T4-GE3
N沟道,电流:12A,耐压:8V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA436DJ-T4-GE3
- 商品编号
- C3289454
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.488868克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.508nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 用于智能手机、平板电脑和移动计算等便携式应用的负载开关
- 低电压栅极驱动
- 低压降
- 用于集成电路的电源开关
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