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SQJQ112E-T1_GE3
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:296A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度为1.9mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ112E-T1_GE3
- 商品编号
- C3289447
- 商品封装
- PowerPAK-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 296A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.945nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.857nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 厚度仅1.9 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载点电源
- 同步整流
- 电池管理
- 电源和负载开关
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