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SQ7415CENW-T1_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:16A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ7415CENW-T1_GE3
- 商品编号
- C3289441
- 商品封装
- PowerPAK1212-8W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21665克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.385nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
- 同步降压转换器
- 负载开关
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