温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISS52DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:162A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS52DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289438
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 凭借极低的RDS(on)和散热增强型紧凑封装实现更高功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载点电源
- 同步整流
- 电池管理
- 电源和负载开关
相似推荐
其他推荐
- SQS140ENW-T1_GE3
- SQSA70CENW-T1_GE3
- SQ7415CENW-T1_GE3
- SIHH14N65EF-T1-GE3
- SQJQ148ER-T1_GE3
- SIJH600E-T1-GE3
- SIHH186N60EF-T1GE3
- SIJH800E-T1-GE3
- SQJQ112E-T1_GE3
- SIHH11N60EF-T1-GE3
- SQJQ140E-T1_GE3
- SQJQ131EL-T1_GE3
- SQJQ112ER-T1_GE3
- SQA470CEJW-T1_GE3
- SQA470EEJ-T1_GE3
- SIA436DJ-T4-GE3
- SQA401CEJW-T1_GE3
- SQA410CEJW-T1_GE3
- SQA446CEJW-T1_GE3
- SIRA80DP-T1-RE3
- SIRA99DP-T1-GE3