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SISS76LDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:70V 电流:67.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行调整。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换拓扑。 总线转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS76LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289436
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@3.3V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@3.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@35V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33.5pF@35V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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