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SISS30ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:54.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS × Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS30ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289429
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)与栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻(RDS)与输出电荷(Qoss)品质因数(FOM)进行优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用
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