SISS08DN-T1-GE3
N沟道,电流:195.5A,耐压:25V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS08DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289431
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.67nF@12.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 可焊侧翼引脚
- 0.75mm薄型封装，热阻低
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