SISS08DN-T1-GE3
N沟道,电流:195.5A,耐压:25V
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SISS08DN-T1-GE3商品编号
C3289431商品封装
PowerPAK1212-8S包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.23mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.67nF@12.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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