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SISH625DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH625DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289435
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.427nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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