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SISH625DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A 电流:17.3A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SISH625DN-T1-GE3商品编号
C3289435商品封装
PowerPAK1212-8SH包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@15A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 52W；3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.427nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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