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SISF02DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:25V 电流:30.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISF02DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289433
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SCD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的源极到源极导通电阻
- 采用紧凑且散热增强型封装的集成共漏极n沟道MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 针对双向电流流动优化电路布局
应用领域
-电池保护开关-双向开关-负载开关
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