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SISS61DN-T1-GE3

1个P沟道耐压:20V 电流:111.9A

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描述: 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。在紧凑且散热增强的封装中具有领先的导通电阻（RDS(on)）。 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试。符合RoHS标准，无卤素。应用：电池管理。负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SISS61DN-T1-GE3
商品编号: C3289430
商品封装: PowerPAK1212-8S
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品参数

该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，采用单封装解决方案。其特点是具备低导通电阻的MOSFET和独立连接的低正向电压肖特基二极管，可实现最低传导损耗。 MicroFET 2x2 Thin封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能，非常适合线性模式应用。

MOSFET：
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V、漏极电流（ID） = -3.0 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 120 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V、漏极电流（ID） = -2.5 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 160 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -1.8 V、漏极电流（ID） = -1.0 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 240 mΩ
肖特基二极管：
- 500 mA时正向电压（VF） < 0.46 V
- 新的MicroFET 2x2 Thin封装厚度低至最大0.55 mm
- 符合RoHS标准
- 不含卤化物和氧化锑