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SISS61DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:111.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。 在紧凑且散热增强的封装中具有领先的导通电阻（RDS(on)）。 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试。 符合RoHS标准，无卤素。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS61DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289430
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 111.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 231nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.74nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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