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SISS32ADN-T1-GE3
N沟道MOSFET,电流:63A,耐压:80V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS32ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289428
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。 CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借一流的品质因数（FOM）实现更高效率，品质因数为漏源导通电阻（RDS(on)）乘以输出存储能量（Eoss）以及RDS(on)乘以栅极电荷（Qg）
- 每封装的RDS(on)处于同类最佳水平
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
应用领域
-例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。
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