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SISS54DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:51.1A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 凭借极低的RDS(on)和热增强型紧凑型封装实现更高的功率密度。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换器。 POL
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS54DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289427
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子设备 DC-DC转换器
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 凭借极低的RDS(on)和散热增强型紧凑型封装,实现更高的功率密度
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
-直流-直流转换器-负载点电源-同步整流-电池管理-电源和负载开关
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