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SISS92DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:250V 电流:12.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS92DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289422
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 采用ThunderFET技术的TrenchFET优化了 RDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 领先的RDS(ON)和 RDS - Coss 品质因数
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-初级侧开关-同步整流-DC/DC拓扑结构-照明-负载开关
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