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SISS71DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:23A
- 描述
- 特性：ThunderFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，厚度为0.75mm。 100%进行Rg和UIS测试。应用：有源钳位DC/DC转换器。 POE
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS71DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289424
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@-10V；63mΩ@-4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@-10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟道式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装，占用空间仅为 SO-8 的 1/3，热性能相当
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
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