SISS70DN-T1-GE3
N沟道,电流:31A,耐压:125V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS70DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289425
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF@62.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.3pF@62.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 在10.89 mm²封装尺寸下导通电阻小于0.92 mΩ
- 额定2.5 V时的导通电阻RDS(on)
- 优化栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比，降低开关相关的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 电池管理
- 负载开关
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