SIS429DNT-T1-GE3
P沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS429DNT-T1-GE3
- 商品编号
- C3289411
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 厚度仅0.8 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 电池开关
- 适配器开关
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