SIS429DNT-T1-GE3
P沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS429DNT-T1-GE3
- 商品编号
- C3289411
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)——确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，有助于缩小终端产品尺寸
- 栅极具备静电放电（ESD）保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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