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SISA14BDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:72A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：高功率密度DC/DC同步整流。 VRMs和嵌入式DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA14BDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3289414
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 917pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。
商品特性
- TrenchFET® 第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
- 电池保护
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